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SiC MOS 可以直接沿用 IGBT 的驱动电路吗?

发布时间:2026-09-21 来源:托尔半导体 浏览次数:6次

不建议直接照搬 IGBT 驱动。
1. SiC 开关速度远高于 IGBT,对驱动环路寄生电感极其敏感,必须优先处理 Kelvin 源极;
2. IGBT 大多不需要负压关断,大功率 SiC 建议配置负关断电压;
3. 栅极电阻选型范围不一样,SiC 需要精细调节 Rg 控制开关速度,平衡损耗与 EMI。