不建议直接照搬 IGBT 驱动。1. SiC 开关速度远高于 IGBT,对驱动环路寄生电感极其敏感,必须优先处理 Kelvin 源极;2. IGBT 大多不需要负压关断,大功率 SiC 建议配置负关断电压;3. 栅极电阻选型范围不一样,SiC 需要精细调节 Rg 控制开关速度,平衡损耗与 EMI。
高频尖峰与振荡常见原因:1. 驱动环路面积过大,Kelvin 源极布线过长;2. 没有使用 Kelvin 源极,驱动地接至功率源极;3. 功率回路寄生电感太大;4. 栅极电阻 Rg 取值太小,开关速度过快;5. 吸收 RC/RCD 缓冲电路缺失或参数不匹配。建议优化方向:缩小驱动环路、正确使用 Kelvin 引脚、合理增大栅极电阻、优化功率回路布局。